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    韓國發(fā)布半導體未來(lái)技術(shù)路線(xiàn)圖 確保存儲及代工的“超級差距”

    2023-05-09 15:34:24   作者:   來(lái)源:集微網(wǎng)   評論:0  點(diǎn)擊:


      據韓聯(lián)社報道,韓國政府計劃未來(lái)10年保持存儲和代工行業(yè)在半導體領(lǐng)域的“超級差距”,以及系統半導體領(lǐng)域的“新差距”,發(fā)布未來(lái)核心技術(shù)發(fā)展藍圖。

      報道稱(chēng),韓國科學(xué)與信息通信技術(shù)部5月9日公布了未來(lái)半導體技術(shù)路線(xiàn)圖,并成立了由三星、SK海力士等代表組成的未來(lái)半導體技術(shù)公私合作咨詢(xún)機構。

      其新頒布的45項核心技術(shù)的路線(xiàn)圖包括:新設備存儲器和下一代設備的開(kāi)發(fā);人工智能、第6代移動(dòng)通信(6G)、電力、汽車(chē)半導體設計的原始技術(shù)開(kāi)發(fā);超高性能原始工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)微型化和先進(jìn)封裝等,目標是獲得相關(guān)技術(shù)10年。

      在新器件領(lǐng)域,計劃重點(diǎn)培養鐵電器件、磁性器件和憶阻器三大未來(lái)器件技術(shù),開(kāi)發(fā)下一代存儲器件。

      在設計領(lǐng)域,其設定的目標是首先支持AI、6G、電源等下一代半導體設計技術(shù),并在2025年后通過(guò)韓國政府對汽車(chē)半導體的大力支持實(shí)現未來(lái)出行。

      在工藝領(lǐng)域,決定發(fā)展原子層沉積、異質(zhì)集成、三維(3D)封裝等技術(shù),增強晶圓代工競爭力。

      此前,韓國科學(xué)和信息通信技術(shù)部強調,自去年5月以來(lái),產(chǎn)學(xué)官共同制定了路線(xiàn)圖,并在韓國首次制定了半導體技術(shù)發(fā)展藍圖。

      韓國不斷致力于本土半導體技術(shù)發(fā)展,上個(gè)月,韓國政府宣布了“三大技術(shù)超級差距研發(fā)戰略”,將投資160萬(wàn)億韓元用于確保半導體、顯示器和下一代電池的技術(shù)。

    【免責聲明】本文僅代表作者本人觀(guān)點(diǎn),與CTI論壇無(wú)關(guān)。CTI論壇對文中陳述、觀(guān)點(diǎn)判斷保持中立,不對所包含內容的準確性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保證。請讀者僅作參考,并請自行承擔全部責任。

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