在記者會(huì )上,臺積電表示日本工廠(chǎng)將以日本客戶(hù)為中心,預計將有持續且旺盛的需求。據此前消息,該工廠(chǎng)規劃生產(chǎn)22/28nm以及12/16nm芯片,月產(chǎn)能目標為5.5萬(wàn)片晶圓。

圖源:臺積電
另?yè)彰綀蟮溃_積電在發(fā)布會(huì )上強調,2nm制程工藝(N2)研發(fā)順利,能夠按照此前目標于2025年量產(chǎn)。此外,張曉強還表示,256Mb SRAM的良率已經(jīng)超過(guò)50%,研發(fā)目標80%以上已完成。
臺積電此前生產(chǎn)的車(chē)用芯片多依賴(lài)成熟制程制造,但隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)、自動(dòng)駕駛等普及,臺積電正在加快引進(jìn)最先進(jìn)的技術(shù)。張曉強表示,通過(guò)導入新技術(shù)平臺“Auto Early”,將使車(chē)用芯片引入3nm技術(shù)的時(shí)間最少提前2年。
集微網(wǎng)此前報道,臺積電“日本一廠(chǎng)”預計將于2024年底啟用投產(chǎn),而日本二廠(chǎng)正在規劃中,預計總投資超過(guò)1萬(wàn)億日元,有望引入5-10nm先進(jìn)制程。