7 月 11 日，Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報告中表示：“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的成品率”，并提高了“高通和英偉達再次合作的可能性”。

　　此前，三星電子代工廠(chǎng)曾經(jīng)歷過(guò)產(chǎn)品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的情況，導致主要客戶(hù)紛紛轉向臺積電。結果，去年臺積電的資本支出和產(chǎn)能分別是三星電子代工業(yè)務(wù)的 3.4 倍和 3.3 倍。

　　在 7nm 以下的先進(jìn)工藝方面，臺積電的市場(chǎng)占有率達到了 90%，這進(jìn)一步拉大了兩公司之間的差距。

　　隨著(zhù)三星電子今年 4nm 工藝成品率超過(guò) 75%、3nm 工藝成品率超過(guò) 60%，再加上臺積電漲價(jià)的影響，業(yè)界認為三星有望再次奪回被臺積電搶走的客戶(hù)，而且之前高通和英偉達等多位客戶(hù)也曾表示他們有必要將其外包生產(chǎn)進(jìn)行多元化。

　　根據三星代工在 SFF 2023 上公布的最新工藝技術(shù)路線(xiàn)圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 納米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 納米級的 SF1.4 工藝。與此同時(shí)，該公司還公布了 SF2 工藝的一些特性。

　　注意到，在擴大技術(shù)供應的同時(shí)，三星仍然致力于擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的產(chǎn)能。

　　三星計劃于 2023 年下半年在其平澤 P3 線(xiàn)開(kāi)始量產(chǎn)芯片，而泰勒市新建廠(chǎng)房預計將于今年年底完工，并于 2024 年下半年開(kāi)始運營(yíng)。三星目前的計劃是到 2027 年將其潔凈室容量比 2021 年增加 7.3 倍。