據(jù)介紹，氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優(yōu)異的物理化學特性，在微電子與光電子領(lǐng)域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。
中國電科 46 所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場設(shè)計出發(fā)，成功構(gòu)建了適用于 6 英寸氧化鎵單晶生長的熱場結(jié)構(gòu)，突破了 6 英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)，具有良好的結(jié)晶性能，可用于 6 英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國氧化鎵材料實用化進程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
備注：中國電科 46 所位于天津市河西區(qū)，是我國最早從事半導體材料和光纖研究開發(fā)與生產(chǎn)的單位之一，自成立以來，致力于為我國電子信息提供高性能、高可靠的各類電子功能材料。
中國電科 46 所擁有硅單晶拋光片、半絕緣砷化鎵拋光片、偏振保持光纖國軍標生產(chǎn)線，具備規(guī)�；a(chǎn)能力;業(yè)務覆蓋半導體材料、新型電子功能材料、特種光纖與器件、功能基板及陶瓷材料、電子專用材料理化分析及監(jiān)督檢測、電子工業(yè)儀表及電子專用設(shè)備六大板塊，各類產(chǎn)品廣泛應用于光電探測、空間工程、網(wǎng)絡(luò)通訊、新一代武器裝備和電子信息系統(tǒng)等領(lǐng)域，為我國電子信息發(fā)展提供了高性能、高可靠性的支撐材料。
