據報道，業(yè)內人士透露，三星目前正在考慮停止P1工廠(chǎng)NAND Flash生產(chǎn)線(xiàn)部分設備的生產(chǎn)。該生產(chǎn)區主要負責生產(chǎn)128層堆疊的第6代V-NAND。據悉，該設備將停產(chǎn)至少一個(gè)月，但可能會(huì )延長(cháng)至2023年下半年。

　　目前，三星已經(jīng)減少了主要NAND Flash生產(chǎn)基地的晶圓投入，包括韓國平澤、華城以及中國西安。業(yè)界猜測三星的NAND Flash產(chǎn)量可能會(huì )減少10%左右。不過(guò)，鑒于市場(chǎng)持續低迷，三星在4月份發(fā)布的2023年Q1財報中正式宣布存儲器減產(chǎn)計劃。此外，三星在發(fā)布第Q2財報時(shí)表示，2023年下半年將重點(diǎn)削減NAND Flash領(lǐng)域的產(chǎn)量。

　　值得注意的是，第6代128層V-NAND系列工藝相對成熟，成為減產(chǎn)目標。目前，三星的主要銷(xiāo)售來(lái)自第7代和第8代V-NAND產(chǎn)品，分別為176層和236層。

　　值得注意的是，半導體公司通常采用在減產(chǎn)期間保持設備運行而不生產(chǎn)晶圓的方法。這主要是因為如果設備完全關(guān)閉，重新啟動(dòng)期間重新建立工藝、達到產(chǎn)量需要額外的時(shí)間和金錢(qián)投資。不過(guò)，三星正在考慮停止設備運轉，不僅是為了增強減產(chǎn)效果，也是為了削減成本。

　　據報道，包括半導體在內的三星設備解決方案(DS)部門(mén)僅在2023年上半年就累計虧損8.94萬(wàn)億韓元(約合67.2億美元)。因此，“降低成本”成為三星存儲業(yè)務(wù)目標管理(MBO)目標的重點(diǎn)之一。